CMOS Details - CMOS ICs

Die Abkürzung CMOS steht für Complementary Symmetry-Metal Oxide Semiconductor (Komplementär-symmetrischer Metall-Oxid-Halbleiter).
Für diese Bausteine werden selbstsperrende MOS-FET Substrate verwendet

Der Leistungsbedarf der CMOS-Ics ist extrem niedrig (bis 10 nW) und hängt hauptsächlich von der Betriebsfrequenz ab. (max. 50 MHz).
Aufgrund des weiten Betriebsspannungsbereichs von +3 V bis +15 V und der hohen Integrationsdichte besitzen Sie ein großes Anwendungsgebiet.

Die ICs der CMOS-Baureihe bestehen in der Regel aus einer komplementär-symmetrischen Anordnung eines P-Kanal und eines N-Kanal-MOS-Transistors, wobei die Drain-Anschlüsse der beiden Transistoren miteinander verbunden sind.